国内首款12英寸多晶碳化硅衬底在长沙问世

驱动中国10月29日消息，湖南泰坦未来科技有限公司本月发布新闻稿，宣布推出国内首款12英寸多晶碳化硅衬底，瞄准AI芯片与先进封装的散热瓶颈。

公开资料显示，12英寸多晶碳化硅（SiC）衬底是一种直径约300毫米、由许多微小碳化硅晶粒构成的大尺寸陶瓷基板。该基板主要作为先进封装和高温半导体工艺中的高导热支撑、散热基底，帮助AI芯片等高功率器件把热量快速导出。

公司表示，当前半导体碳化硅赛道的市场目光大多聚焦单晶SiC衬底，而多晶碳化硅配套材料属于行业蓝海与隐形刚需。高端多晶材料长期受制于人，成为制约国内产线扩产的关键痛点，大尺寸致密化、高纯度制备、热性能匹配是亟待攻克的核心技术瓶颈。

据介绍，该产品由团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间曾损耗两台气相沉积炉，并攻克材料致密化、大尺寸成型、应力调控等技术难题。

在关键性能上，公司称该衬底沉积速度达每小时60微米，高于国内外同行10至20微米的水平；最低电阻率可小于1毫欧·厘米，优于国外同行约10毫欧·厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，有助于提升芯片良率。

目前，该产品已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。项目正处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计2027年后逐步规模化供货。

公司称，该12英寸Poly-SiC多晶衬底依托气相沉积、超临界多相法TaC涂层等自研核心技术，实现多项关键指标突破：热导率达到300W/(m·K)及以上，已超过国际先进半导体材料厂商平均水平；产品实现零长裂纹、微裂纹，孔洞缺陷极低，具备热学性能与结构稳定性；在大尺寸成型与高纯度制备方面打破国外技术垄断。

在应用方面，公司表示，该产品可作为AI芯片先进封装散热基板，其导热系数为传统AlN/Cu方案的2至3倍，可形成高效导热通道；公司研发的多晶碳化硅复合衬底较行业现有技术节约近20%成本。

公司称，在单晶碳化硅衬底受国内窗口指导限制背景下，可通过复合衬底进行大规模量产及降本；刻蚀环部件可将客户加工良率提升60%。

该公司于2026年投资新建高纯高致密碳化硅部件及多晶衬底产业基地项目，全面投产后，可年产20万片半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层产品。该产品已亮相第六届碳基新材料产业创新发展大会。