三星晶圆代工拟扩产4nm及2nm制程

驱动中国9月22日消息，据韩媒MONEYTODAY报道，三星电子晶圆代工业务正考虑新建4nm与2nm生产线，旨在扩大这两个制程节点的制造能力，以应对高带宽内存（HBM）对先进基础裸片（Base Die）的旺盛需求。

在标准产品方面，三星电子存储器业务已确认将在HBM4 (E)世代使用4nm Base Die，而其HBM5内存则将升级到2nm Base Die。对于定制HBM，其Base Die需从主芯片卸载功能电路，对工艺也有很高要求。

此前消息指出，三星晶圆代工已将半数4nm产能用于HBM4 Base Die的生产。随着存储器业务HBM4出货进一步加速，4nm Base Die的需求预计再度提升。同时，NVDIA Groq 3等AI芯片也正持续扩产。

在2nm方面，三星电子移动体验业务计划为更多Galaxy S/Z手机导入系统LSI业务设计的Exynos处理器，这也需要更大产能。另一方面，三星晶圆代工也接获了特斯拉等重要客户的订单。